产品属性
锑化铟（InSb）单晶
1，工艺：提拉法生长锑化铟单晶；2，纯度：6N(99.9999%) ；3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；3，规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;4，掺杂：碲或锗；5，服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；
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