产品属性
2″英寸大功率GaN PSS衬底外延片供货标准
一. 外延片物理尺寸
二. 外延片物理结构
P-type Layer
P-GaN （Mg）
Total thickness：
430 ± 25um
Etching depth: 11500~12500Å
Active Layer
MQW
N-type Layer
N-GaN （Si）
Substrate
PSS （2*1*1.3～1.5）
Warp
<30μm
三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）
检验项目
检测条件
备注
平均电压
≤3.4V
1、芯片尺寸为45×45mil；
2、ESD测试为人体模式2000ｖ；
3、外延表面为非粗化处理；
4、亮度标准为ITO制程下COW亮度；
5、波长范围可以根据合同要求调整；
6、亮度以实际测试为准；
圆片中心波长
（ｎｍ）＠350mA
蓝光外延片：450nm-460nm
波长集中度：90%比例集中在7.5nm
蓝光亮度（ｍW）
＠350mA，460nm
亮度280mW以上（封装成品大于130LM）
良率（ESD2000V）
>75%
漏电（uA）＠-5V）
≤1
综合良率
>80%
四. 外延片表面检测标准
检测区域
检查方法/仪器
表面
整片
表面颜色均匀
聚光灯
异物面积小于4平方毫米（2mm*2mm）
异物个数小于5颗
镜下
去边2mm，采用
5点检测
有黑点区域小于2，区域内黑点个数小于5颗
显微镜20X10
六角凸起个数在小于10颗
五. 包装及运输
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