晶体生长炉主要由晶体提拉控制系统、晶体旋转控制系
统、真空泵操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几
部分组成。采用先进的驱动、传动技术及配套装置;采用特殊工艺及材料制作的密封装置;采用可靠的水冷系统装置;使籽晶杆运转平稳,无爬行和振动。同时采用了高精度可编程的炉温控制装置,实现了炉温自动控制。并设有手动快速升降装置,使用方便,是生长高熔点人工晶体的理想设备。
主要技术参数
| 名 称 | 单 位 | 指标数 |
| 最高炉温 | ℃ | 2100 |
| 籽晶杆拉速 | mm/h | 0.5~60 |
| 籽晶杆转速 | rpm | 1~50 |
| 籽晶杆行程 | mm | 600 |
| 冷炉极限真空度 | Pa | 6.67x10-3 |
| 冷却水压 | MPa | 0.15~0.2 |
光电子材料仪器设备事业部在晶体材料研究与生产方面有50余年历史,专业从事光电晶体材料的研发、生长和设备研制,拥有提拉法、下降法、助熔剂法、区熔法、泡生法、导模法和热交换法等多种晶体生长方法和多套先进的晶体生长设备和工艺,同时还拥有完善的检测晶体材料性能的检测设备。
1.提供晶体材料的研发、技术支持及产业化服务
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