直拉单晶生产技术工艺_硅单晶炉_硅单晶生长_硅单晶制备技术工艺（168元/全套）
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21814-0042-0001 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
摘要 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通进空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本技术的优点是：本方法和设备简单，操纵方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，碰到空气时，发生燃烧甚至爆炸。
21814-0035-0002 一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法
摘要 本技术涉及一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法。可用于消除硅单晶片表面的晶体原生颗粒缺陷，即消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷。本法以直拉法生长的硅单晶片为原始硅片，将低剂量重离子Ge+或Si+注进到原始硅片的表层中，使其非晶化，再用快速热退火或炉退火使硅片表面的非晶化层，固相外延、重新结晶，而消除其原生坑缺陷。本法本钱低，可利用含有较多杂质的锗或硅材料为原料，避免了超过1200℃以上的高温工艺。
21814-0020-0003 直拉单晶生长装置 本实用新型公然了一种直拉单晶生长装置，其包括籽晶杆、坩埚和连接于坩埚底部的坩埚杆，所述的坩埚的上面设有用于密封坩埚的热壁密封盖，所述的热壁密封盖和坩埚连接部位设有动态密封装置，所述籽晶杆穿过热壁密封盖伸进坩埚室内并与热壁密封盖连为一体。本实用新型解决了现有的直拉单晶生长装置结构复杂、密封环节多的题目，只需在热壁密封盖和坩埚连接部位一处设有动态密封装置即可以实现密封，克服了现有直拉单晶生长装置因密封环节多、结构复杂而带来的本钱增加、重复性差、不适于产业化生产、并且难以保证良好的密封效果等缺陷。
21814-0039-0004 磁场直拉硅单晶的制备方法
摘要 本技术涉及一种硅单晶的制备方法，特别涉及一种用于半导体器件的磁场直拉硅单晶的制备方法。该方法包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程，其操纵步骤如下：当多晶料完全熔化之后，即顺时针旋转手柄，使电磁场机构复位，然后闭合电源开关；按下磁场控制器按钮，启动磁场，首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮，缓慢地将电流加至35A；当磁场强度大于1200GS时，将埚转调至1-8转/分，再开动籽晶旋转机构，使晶转为12-16转/分，然后调整坩埚位置；在拉细颈时，先将籽晶行程调至零位，然后旋转晶升电位器，逐步进步拉速至16英寸/小时。采用该方法制备的硅单晶解决了电阻率径向分布不均匀、轻易产生漩涡缺陷和氧含量高等技术题目，从而进步了产品质量，满足了市场需求。
21814-0041-0005 节能型直拉单晶炉
摘要 本技术涉及一种直拉单晶生长装置，属于半导体生长设备技术领域。它包括液压伺服系统调节坩埚杆；在加热控制单元中，三相平衡?压器、滤波电容器、电抗器和电阻器组合连接而成，与谐波源并联；它还具有变频充气装置。本技术克服现有的坩埚轴升降驱动装置不能有效的保证生产操控稳定性及精确度不够精确不足，克服现有的加热控制单元不能消除谐波的不足，同时也克服现有的坩埚轴升降驱动装置不能有效的保证生产操控稳定性及精确度不够精确不足。
21814-0012-0006 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
摘要 本技术是双坩埚法直拉ＧａＳｂ单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有Ｌ形或反Ｌ形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内外坩埚同步旋转，改进了双坩埚法生长单晶的热场分布。本技术的坩埚加工方便易行，生长方法简单、实用，效率高，本钱低，能生长大直径、低位错、满足器件需要的单晶ＧａＳｂ衬底材料。
21814-0037-0007 直拉硅单晶中低氧控制方法
摘要 本技术提供一种直拉硅单晶中低氧控制方法，其特点是：起始磁场强度为300-2500GS，未端磁场强度为50-1500GS，磁场强度变化速率为1-10GS/min，坩埚转速变化范围为0.1-10rpm，晶体转速变化范围为10-30rpm，晶体拉速为0.5-3mm/min，氩气流量为2-7m3/hr，炉内压力为1-4KPa。采用上述技术方案，能有效地使整根单晶(坩埚装料量为15kg-60kg，单晶直径为Φ2″-Φ6″。)氧含量在三段目标范围(5.5×1017a/cm3-7.0×1017a/cm3、5.0×1017a/cm3-6.5×1017a/cm3、4.0×1017a/cm3-5.5×1017a/cm3)的某一段，而且整根单晶氧含量偏差为±0.5×1017a/cm3，径向氧含量不均匀性≤5％，单晶成品率60％以上。
21814-0019-0008 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
摘要 本实用新型公然了一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，所述的硅籽晶夹持器(13)上端为挥胱丫е?12)连接的联接件(13c)，其特征在于所述的硅籽晶夹持器(13)下端包括硅籽晶夹持器上部(13a)和硅籽晶夹持器下部(13b)，所述的硅籽晶夹持器上部(13a)与所述的硅籽晶夹持器下部(13b)之间为可拆卸联接，所述的硅籽晶夹持器下部(13b)内含一上大下小且上下贯通的空腔。硅籽晶夹持器能保证硅籽晶的安全使用，避免硅籽晶断裂，大大延长籽晶的使用寿命，可以用于制备重量高达500Kg的硅晶体。可以用于制造集成电路和其它电子元件的半导体级硅单晶的制备，满足半导体硅材料的发展需要。
21814-0031-0009 基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法
摘要 本技术基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶比直拉硅单晶或其它半导体单晶材料有更高的纯度、更少的杂质缺陷。采用区熔硅单晶制作的双极器件，缺陷(包括重金属杂质)少，因而产生复合中心少，少子的寿命长，能够极大地进步双极光晶体管小信号增益特性，进步探测微弱光信号的灵敏度。本技术采用器件背面接受光进射来探测光信号的方法，能够克服正面金属电极的遮光作用以及发射区硅材料的吸光效应，有利于进步双极光晶体管的性能。
21814-0028-0010 一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
摘要 本技术公然的磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法，其步骤如下：将多晶硅放进石英坩埚中，并掺进高纯的锗，在100-10000G磁场强度和保护气体下，将温度升到1400℃～1450℃，使锗熔进多晶硅熔液中，锗在单晶硅中的掺杂浓度为1×1010-1×1021cm-3，生长得到低缺陷密度直拉硅单晶。本技术采用在磁场下生长直拉硅单晶，通过调整磁场强度可有效控制和降低氧的浓度，利用微量锗的掺杂，使得锗和点缺陷作用，从而抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是VOID缺陷的天生，降低缺陷密度，利于进步生长速度，降低本钱，生长高质量的硅单晶。
21814-0013-0011 含氮直拉硅单晶的热处理方法
21814-0025-0012 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
21814-0003-0013 一种进步直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
21814-0004-0014 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
21814-0027-0015 直拉单晶生长装置
21814-0036-0016 直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法21814-0047-0017 直拉法单晶硅生产用石英坩埚
21814-0023-0018 蒸汽压控制直拉单晶生长装置
21814-0044-0019 基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的丈量方法
21814-0021-0020 下开平动式直拉单晶炉
21814-0046-0021 直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法
21814-0011-0022 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
21814-0034-0023 CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法
21814-0010-0024 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
21814-0022-0025 单晶生产投料装置
21814-0016-0026 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
21814-0033-0027 太阳能级硅单晶生产工艺方法
21814-0017-0028 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
21814-0040-0029 单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺
21814-0008-0030 直拉硅单晶的气相掺氮方法
21814-0018-0031 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
21814-0029-0032 用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
21814-0024-0033 用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
21814-0032-0034 生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
21814-0002-0035 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
21814-0009-0036 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法:21814-0015-0037 生产硅单晶的直拉区熔法
21814-0026-0038 直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法
21814-0038-0039 化合物半导体单晶的制备方法
21814-0005-0040 一种微量掺锗直拉硅单晶
21814-0001-0041 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
21814-0043-0042 一种进步直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
21814-0030-0043 用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场
21814-0007-0044 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛
21814-0014-0045 直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针
21814-0045-0046 直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
21814-0006-0047 改善无位错单晶的成品率的方法
21814-0048-0048 一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉
21814-K0015-0049 论直拉单晶炉技术平台的逻辑演进-----来源：人工晶体学报 日期：2004年3期
21814-K0011-0050 硅单晶直拉区熔法-----来源：有色冶金节能 日期：2004年6期
21814-K0012-0051 快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响-----来源：半导体学报 日期：2006年3期
21814-K0010-0052 勾形磁场中直拉硅单晶浓度场的数值模拟研究-----来源：硅酸盐学报 日期：2005年2期
21814-K0017-0053 数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响-----来源：人工晶体学报 日期：2006年4期
21814-K0003-0054 掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展-----来源：材料导报 日期：2006年9期
21814-K0008-0055 大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟-----来源：稀有金属 日期：2004年5期
21814-K0018-0056 水环式真空泵在直拉单晶炉上的应用-----来源：半导体技术 日期：2005年3期821814-K0028-0057 直径18英寸直拉硅单晶研制成功-----来源：光学精密机械 日期：2002年4期
21814-K0007-0058 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟-----来源：人工晶体学报 日期：2000年4期
21814-K0006-0059 磁场直拉硅单晶生长-----来源：中国科学：E辑 日期：2004年5期
21814-K0023-0060 我国研制成功直径18英寸直拉硅单晶-----来源：物理通报 日期：2002年11期
21814-K0016-0061 氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响-----来源：半导体学报 日期：2003年2期
21814-K0034-0062 直拉硅单晶中的活动图形缺陷-----来源：半导体学报 日期：2004年1期
21814-K0030-0063 直拉单晶炉真空系统和充气系统的改进-----来源：真空 日期：2005年2期
21814-K0009-0064 氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用-----来源：半导体学报 日期：2001年11期
21814-K0031-0065 直拉法单晶制造中的直径检测技术-----来源：半导体技术 日期：2003年3期
21814-K0019-0066 太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用-----来源：太阳能学报 日期：2002年2期
21814-K0014-0067 氯化锌钾单晶的直拉法生长-----来源：人工晶体学报 日期：2002年6期
21814-K0037-0068 直拉重掺硼硅单晶的研究进展-----来源：稀有金属 日期：2003年3期
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21814-K0036-0071 直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制-----来源：材料科学与工程 日期：2000年3期
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21814-K0001-0073 “十五”期间中国直拉硅单晶炉用石墨材料的市场猜测-----来源：炭素 日期：2004年4期
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21814-K0033-0075 直拉硅单晶生长的现状与发展-----来源：河北产业大学学报 日期：2004年2期
21814-K0032-0076 直拉法生长锗单晶的水平放肩工艺实践-----来源：云南冶金 日期：2002年6期21814-K0024-0077 我国研制成功直径18英寸直拉硅单晶-----来源：中国信息导报 日期：2002年12期
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